多川 友作 プロフィール

多川 友作 (たがわ ゆうさく) Tagawa Yusaku

多川 友作
  • 学  位

    博士(工学)

  • 所  属

    東京大学工学系研究科電気系工学専攻

  • 役  職

    特任助教

  • 生年月日

    1995年

Education

  • 平成29年3月

     九州大学工学部電気情報工学科卒業

  • 平成31年3月

     東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻博士前期課程修了

  • 令和4年3月

     東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻博士後期課程修了,博士(工学)

Appointments

  • 令和2年11月

     国立がん研究センター東病院消化管内視鏡科 特任研究員

  • 令和4年4月

     東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 横田研究室 特任助教

Honors and Research Awards

  • The First Leo Esaki Award (the annual top paper published in IEEE Electron Devices Society in 2018)
  • Scholarship from Global Leader Program for Social Design and Management (GSDM) 2019
  • LSIとシステムのワークショップ最優秀ポスター賞(一般部門), 電気情報通信学会, 2019
  • 優秀口頭発表賞, 広い圧力領域で線形性と高感度を両立したフレキシブル容量変化型圧力センサ, フレキシブル・ストレッチャブルエレクトロニクス若手研究者(2023)

Publications

国際論文誌

  • M. Kobayashi, Y. Tagawa, F. Mo, T. Saraya, and T. Hiramoto, “Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memory with High TER and Multi-level Operation Featuring Metal Replacement Process.” IEEE Journal of the Electron Devices Society, 7, 134-139, 2018 (The First Leo Esaki Award).
  • F. Mo, Y. Tagawa, C. Jin, M. Ahn, T. Saraya et al., “Low-voltage operating ferroelectric FET with ultrathin IGZO channel for high-density memory application.” IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol. 8, pp. 717-723, 2020
  • I. Takeda, W. Yasunaga, S. Kobayashi, Y. Tagawa, and H. Onodera. "Gait assist brace with double carbon fiber reinforced plastic spring blades to allow ankle joint movement and change in walking direction." Advanced Robotics, Vol. 35, No. 15, pp 927-938, 2021
  • Y. Tagawa, T. Okatani, H. Onodera, “Estimation of Coefficient of Static Friction with One-Axis Force Sensor by Observing Peripheral Local Slips on Elastic Hemisphere” SICE Journal of Control, Measurement, and System Integration, Vol. 14, No. 1, pp. 206-212, 2021
  • Y. Tagawa, S. Lee, T. Someya, T. Yokota, Advanced Electronic Materials, 202201304, 2023

Presentations (International)

  • F. Mo, Y. Tagawa, T. Saraya, T. Hiramoto, and M. Kobayashi, “Scalability Study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method with Self-consistent Potential” 2018 International Electron Device Meeting(IEDM), IEEE, pp372-375, San Francisco, CA, USA,(Dec.2018).
  • F. Mo, Y. Tagawa, C. Jin, M. Ahn, T. Saraya, T. Hiramoto, and M. Kobayashi, “Experimental Demonstration of Ferroelectric HfO2 FET with Ultrathin-body IGZO for High-Density and Low-Power Memory Applications” Symposium on VLSI Technology, IEEE, T42-T43, Kyoto, Japan, Japan, (Jun. 2019)
  • Y. Tagawa, T. Okatani, H. Onodera, "Experimental study of Estimation of Coefficient of Static Friction with One-Axis Force Sensor by Observing Peripheral Local Slips on Elastic Hemisphere", The proc. of The SICE Annual Conference 2020, SaBT16.6, Sep. 2020.